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LH28F008SAT-ZW	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：40-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP	SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics	SharpMicroelectronics
28F008SA	文件：381.7 Kbytes Page：26 Pages	8MBIT(1MBITx8)FLASHMEMORY PRODUCTOVERVIEW TheVE28F008isahigh-performance8Mbit(8,388,608bit)memoryorganizedas1Mbyte(1,048,576bytes)of8bitseach.Sixteen64Kbyte(65,536byte)blocksareincludedontheVE28F008.AmemorymapisshowninFigure4ofthisspecification.Ablockeraseoperationerasesone	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
28F008SA	文件：466.6 Kbytes Page：33 Pages	8-MBIT(1-MBITx8)FlashFileTMMEMORY Intel’s28F008SA8-MbitFlashFileTMMemoryisthehighestdensitynonvolatileread/writesolutionforsolid-statestorage.The28F008SA’sextendedcycling,symmetricallyblockedarchitecture,fastaccesstime,writeautomationandlowpowerconsumptionprovideamorereliable,lowerpower,lighter	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
28F008SA-L	文件：437.93 Kbytes Page：28 Pages	8-MBIT(1MBITx8)FLASHFILETMMEMORY PRODUCTOVERVIEW The28F008SA-Lisahigh-performance8-Mbit(8,388,608-bit)memoryorganizedas1Mbyte(1,048,576bytes)of8bitseach.Sixteen64-Kbyte(65,536-byte)blocksareincludedonthe28F008SA-L.AmemorymapisshowninFigure6ofthisspecification.Ablockeraseoperationerases	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
28F008SA-L	文件：381.7 Kbytes Page：26 Pages	8MBIT(1MBITx8)FLASHMEMORY PRODUCTOVERVIEW TheVE28F008isahigh-performance8Mbit(8,388,608bit)memoryorganizedas1Mbyte(1,048,576bytes)of8bitseach.Sixteen64Kbyte(65,536byte)blocksareincludedontheVE28F008.AmemorymapisshowninFigure4ofthisspecification.Ablockeraseoperationerasesone	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
H28F008SC-V	文件：262.25 Kbytes Page：40 Pages	M-bit(1MBx8)Smart5FlashMemories FEATURES •Smart5technology –5VVCC –5Vor12VVPP •Highperformancereadaccesstime LH28F008SC-V85/SCH-V85 –85ns(5.0±0.25V)/90ns(5.0±0.5V) LH28F008SC-V12/SCH-V12 –120ns(5.0±0.5V) •Enhancedautomatedsuspendoptions –Bytewritesuspendtoread –Blockerasesuspend	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SA	文件：294.82 Kbytes Page：35 Pages	4M(512K횞8,256K횞16)FlashMemory DESCRIPTION TheLH28F400SU-NCisahighperformance4M(4,194,304)blockerasablenon-volatilerandomaccessmemoryorganizedaseither256K×16or512K×8.TheLH28F400SU-NCincludesthirty-two16K(16,384)blocks.AchipmemorymapisshowninFigure5. Theimplementationofanewarchitectu	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SA	文件：249.75 Kbytes Page：27 Pages	8M(1M횞8)FlashMemory DESCRIPTION TheLH28F008SAisahigh-performance8M(8,388,608bit)memoryorganizedat1M(1,048,576bytes)of8bitseach.Sixteen64K(65,536Byte)blocksareincludedontheLH28F008SA.AmemorymapisshowninFigure4ofthisspecification.Ablockeraseoperationerasesoneofthesixteen	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SAHR	文件：1.19542 Mbytes Page：29 Pages	8MBIT(1MBITx8)FLASHMEMORY	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SAT	文件：2.76238 Mbytes Page：34 Pages	8MBIT(1MBITx8)FLASHMEMORY DESCRIPTION TheLH28F008SAisahigh-performance8M(8,388,608bit)memoryorganizedat1M(1,048,576bytes)of8bitseach.Sixteen64K(65,536Byte)blocksareincludedontheLH28F008SA.AmemorymapisshowninFigure4ofthisspecification.Ablockeraseoperationerasesoneofthesixteen	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SC	文件：349.45 Kbytes Page：38 Pages	8M(1M횞8)FlashMemory INTRODUCTION SHARP’SLH28F008SCFlashFile™memorywithSmartVoltagetechnologyisahigh-density,low-cost,nonvolatile,read/writestoragesolutionforawiderangeofapplications.Itssymmetrically-blockedarchitecture,flexiblevoltageandextendedcyclingprovideforhighlyflexiblecomponen	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SCH	文件：1.93357 Mbytes Page：44 Pages	8-MBIT(1MBx8)SmartVoltageFlashMEMORY 8-MBIT(1MBx8)SmartVoltageFlashMEMORY	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SCH-L	文件：1.93357 Mbytes Page：44 Pages	8-MBIT(1MBx8)SmartVoltageFlashMEMORY 8-MBIT(1MBx8)SmartVoltageFlashMEMORY	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SCHT	文件：3.64846 Mbytes Page：47 Pages	8-MBIT(1MBx8)SmartVoltageFlashMEMORY 8-MBIT(1MBx8)SmartVoltageFlashMEMORY	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SCH-V	文件：1.73612 Mbytes Page：41 Pages	8-MBIT(1MBx8)SmartVoltageFlashMEMORY DESCRIPTION TheLH28F008SC-V/SCH-VflashmemorieswithSmart5technologyarehigh-density,low-cost,nonvolatile,read/writestoragesolutionforawiderangeofapplications. FEATURES •Smart5technology –5VVCC –5Vor12VVPP •Highperformancereadaccesstime LH28F0	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SCH-V	文件：262.25 Kbytes Page：40 Pages	M-bit(1MBx8)Smart5FlashMemories FEATURES •Smart5technology –5VVCC –5Vor12VVPP •Highperformancereadaccesstime LH28F008SC-V85/SCH-V85 –85ns(5.0±0.25V)/90ns(5.0±0.5V) LH28F008SC-V12/SCH-V12 –120ns(5.0±0.5V) •Enhancedautomatedsuspendoptions –Bytewritesuspendtoread –Blockerasesuspend	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SCT	文件：188.42 Kbytes Page：7 Pages	Smartvoltage8Mbitflashmemory Smartvoltage8Mbitflashmemory	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SC-V	文件：266.94 Kbytes Page：40 Pages	8M-bit(1MBx8)Smart5 DESCRIPTION TheLH28F008SC-V/SCH-VflashmemorieswithSmart5technologyarehigh-density,low-cost,nonvolatile,read/writestoragesolutionforawiderangeofapplications. FEATURES •Smart5technology –5VVCC –5Vor12VVPP •Highperformancereadaccesstime LH28F0	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LH28F008SC-V	文件：262.25 Kbytes Page：40 Pages	M-bit(1MBx8)Smart5FlashMemories FEATURES •Smart5technology –5VVCC –5Vor12VVPP •Highperformancereadaccesstime LH28F008SC-V85/SCH-V85 –85ns(5.0±0.25V)/90ns(5.0±0.5V) LH28F008SC-V12/SCH-V12 –120ns(5.0±0.5V) •Enhancedautomatedsuspendoptions –Bytewritesuspendtoread –Blockerasesuspend	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
M28F008	文件：1.17056 Mbytes Page：14 Pages	8MBIT(1MBITx8)FLASHMEMORYExtendedCycllngCapablllty	ROCHESTER Rochester Electronics	ROCHESTER

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产品属性

产品编号：
LH28F008SAT-ZW
制造商：
Sharp Microelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
85ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
40-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
40-TSOP
描述：
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯斯宇科技有限公司	LH28F008SAT-ZW	SharpMicroelectronics	2022	ICFLASH8MBIT85NS40TSOP	5058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
绿盛电子(香港)有限公司	LH28F008SAT-ZW	SHARP	2015+	TSOP40	19889	一级代理原装现货,特价热卖!	询价
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