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RB411	文件：65.209 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierDiode GENERALPURPOSEDETEDTION HIGHSPEEDSWITCHING LOWREVERSECURRENTANDFORWARDVLOTAGE SOT-23	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
RB411	文件：137.6 Kbytes Page：2 Pages	20to40Volts0.5AmpSurfaceMountSchottkyBarrierDiode Features •Smallsurfacemountingtype •Lowreversecurrentandlowforwardvoltage •Highreliability •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
RB411	文件：636.55 Kbytes Page：1 Pages	500mASchottkyBrrierDiode GENERALPURPOSEDETEDTION HIGHSPEEDSWITCHING LOWREVERSECURRENTANDFORWARDVLOTAGE SOT-23	SSEShanghai Sunrise Electronics Shanghai Sunrise Electronics	SSE
RB411	文件：55.23 Kbytes Page：2 Pages	Schottkybarrierdiode Features Highreliability Smallmoldtype SuperlowVF Application Generalrectification Structure Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB411D	文件：55.23 Kbytes Page：2 Pages	Schottkybarrierdiode Features Highreliability Smallmoldtype SuperlowVF Application Generalrectification Structure Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB411D	文件：137.6 Kbytes Page：2 Pages	20to40Volts0.5AmpSurfaceMountSchottkyBarrierDiode Features •Smallsurfacemountingtype •Lowreversecurrentandlowforwardvoltage •Highreliability •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
RB411D	文件：208.05 Kbytes Page：4 Pages	Schottkybarrierdiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB411D	文件：36.22 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierDiode Features Smallsurfacemountingtype LowVF.(VF=0.43VTyp.at0.5A) Highreliability. Siliconepitaxialplanar	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
RB411D	文件：1.00802 Mbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB411D	文件：846.42 Kbytes Page：4 Pages	0.5AmpSchottkyBarrierRectifier20Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
RB411D	文件：468.65 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode VOLTAGE40VoltCURRENT500mA FEATURES HighReliability LowReverseCurrent UltraHigh-speedSwitching LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std.. (HalogenFree) MECHANICALDATA Case:SOT-23,Plastic Term	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
RB411D	文件：726.32 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ●SmallSurfaceMountingType ●LowReverseCurrentandLowForwardVoltage ●HighReliability	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
RB411D	文件：349.53 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode Features Highreliability Smallmoldtype SuperlowVF Application Generalrectification Structure Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB411D	文件：341.85 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyBarrierDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB411DGH	文件：140.22 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode Leadfreeproduct Halogen-freetype FEATURES Smallmoldtype. LowIR. Highreliability. APPLICATIONS Lowcurrentrectification.	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
RB411DS	文件：199.51 Kbytes Page：3 Pages	0.5AmpSchottkyBarrierRectifier20Volts Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Smallsurfacemountingtype •Lowreversecurrentandlowforwardvoltage •Highreliability •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
RCA411	文件：245.6 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage,High-PowerSiliconN-P-NPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RDS-411	文件：409.1 Kbytes Page：2 Pages	RuggedDockingStationforRTC-1010/RTC-1010M Features ■ApplyonRTC-1010/RTC-1010M ■Front-facingI/Os:USB2.0x2withProtectionCover ■Downward-facingI/OsforEasyCableManagement:USB2.0x2,RS- 232x1(Two:Optional),RJ45GbEx1,DC-inPhoenixConnectorx1 ■WideVoltageInput:9VDC~36VDC ■PowerAdaptor:ACPowerA	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
RKP411KS	文件：69.76 Kbytes Page：5 Pages	CompositePinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C=0.35pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.3Ωmax@IF=10mA,f=100MHz) •Thinoutlineofdiodearraywithsixdifferentkindelements(MFP12)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RTS-411-B	文件：119.85 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersM-UNIT	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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详细参数

型号：
LF411ACH/NOPB
功能描述：
IC OP AMP LOW JFET INPUT TO-99-8
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
BI-FET II™
标准包装：
1,000
系列：
-
放大器类型：
电压反馈
电路数：
4
输出类型：
满摆幅
转换速率：
33 V/µs
增益带宽积：
20MHz
-3db带宽：
30MHz 电流 -
输入偏压：
2nA 电压 -
输入偏移：
3000µV 电流 -
电源：
2.5mA 电流 -
输出/通道：
30mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
14-SOIC
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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