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MMBD770W	文件：166.85 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODES VOLTAGE70Volts200mA FEATURES •Extremelylowminoritycarrierlifetime •Lowcapacitance(0.4pF@20Vtypical) •Lowreverseleakage(30nA@35Vtypical) .IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives •Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD770WS	文件：174.87 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODES VOLTAGE70Volts200mA FEATURES •Extremelylowminoritycarrierlifetime •Lowcapacitance(0.4pF@20Vtypical) •Lowreverseleakage(30nA@35Vtypical) .IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives •Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD770WS	文件：504.27 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODE(VoltageRange70VoltsPower200mWatts)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MMDL770	文件：106.58 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode Schottkybarrierdiodesaredesignedprimarilyforhigh–efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.ReadilyavailabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications. •ExtremelyLowMinorityCarrierLifetime •VeryLowCapacitance—1.0pF@20V •LowReverseLeakage—200nA(max)	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
MMDL770	文件：228.52 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDL770	文件：220.34 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowreverseleakage—IR=200nA(Max.). ●VeryLowCapacitance—1.0pF@20V. ●ExtremelyLowminoritycarrierlifetime. ●Highreverseleakage—70V(min.) APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMDL770	文件：207.8 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowreverseleakage—IR=200nA(Max.). ●VeryLowCapacitance—1.0pF@20V. ●ExtremelyLowminoritycarrierlifetime. ●Highreverseleakage—70V(min.) APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDL770	文件：241 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MZ770	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NIVXIPC-770	文件：615.16 Kbytes Page：5 Pages	Intel815Echipset/High-performancePCI-basedperipherals	NI National Instruments Inc.	NI
NTM-770	文件：61.76 Kbytes Page：1 Pages	MOLDED,SELF-RETAININGLEDMOUNT	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NTM-770	文件：61.76 Kbytes Page：1 Pages	MOLDED,SELF-RETAININGLEDMOUNT	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
OP770A	文件：1.25623 Mbytes Page：6 Pages	NPNSiliconPhototransistor Descripton: OP550,OP552,OP555,OP750,andOP770seriesconsistsofaNPNsiliconphototransistormoldedinanepoxypackagewithawidereceivinganglethatprovidesrelatvelyevenreceptonoveralargearea.TheOP750andOP770haveadditonalcircuitrytoenhancetheoperatonofthedevicefor	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
OP770A	文件：102.45 Kbytes Page：2 Pages	NPNPhototransistorwithCollector-EmitterCapacitor Description TheOP770consistsofanNPNphototransistorand1000pFcapacitormoldedinaclearepoxypackage.Theinternalcollector-emittercapacitorallowsthedevicetobeusedinapplicationswhereexternalhighfrequencyemissionscouldcompromisesignalintegrity. Features •Supressesh	Optek TT Electronics/Optek Technology	Optek

详细参数

型号：
L770
制造商：
Leviton Manufacturing Co

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更多L770供应商更新时间2024-6-18 16:38:00

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