L6386ED集成电路(IC)栅极驱动器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
L6386ED |
参数属性 | L6386ED 封装/外壳为14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO |
功能描述 | High-voltage high and low side driver |
文件大小 |
217.74 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-1 23:00:00 |
L6386ED规格书详情
Description
The L6386E is an high-voltage device, manufactured with the BCD OFF-LINE technology. It has a Driver structure that enables to drive independent referenced Channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices.
Features
■ High voltage rail up to 600V
■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range
■ Driver current capability:
– 400mA source,
– 650mA sink
■ Switching times 50/30 nsec rise/fall with 1nF load
■ CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull down
■ Under voltage lock out on lower and upper driving section
■ Integrated bootstrap diode
■ Outputs in phase with inputs
L6386ED属于集成电路(IC) > 栅极驱动器。意法半导体(ST)集团制造生产的L6386ED栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
产品属性
- 产品编号:
L6386ED
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
17V(最大)
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1.5V,3.6V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
400mA,650mA
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
50ns,30ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
14-SO
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
23+ |
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ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-14_150mil |
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