选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST(意法半导体)SOP-14 |
942 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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ST(意法半导体)SOP14 |
35 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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STSOP14 |
500 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ST/意法SO-14 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ST/意法SOP-14 |
15000 |
24+ |
只做全新原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST(意法半导体)SOP-14 |
2669 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ST专家SO-14 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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682495 |
23+ |
全新原装,有询必回 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体SOIC-14 |
6008 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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STMicroelectronics14-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
25462 |
23+ |
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英飞凌电源管理芯片-原装正品 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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ST/意法SOP-14 |
12000 |
原装现货,长期供应,终端账期支持 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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ST14SO |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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STM原廠原封 |
5000 |
22+ |
原装现货库存.价格优势!! |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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ST(意法)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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STMSOP16 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STMSOP16 |
55200 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市英特法电子科技有限公司11年
留言
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ST/意法半导体SO-14 |
6000 |
2023+ |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
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深圳市迈锐达科技有限公司15年
留言
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STSOP-14 |
10000 |
21+ |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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ST/意法半导体SO-14 |
10000 |
21+ |
原装,品质保证,请来电咨询 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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ST/意法SOP14 |
3500 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
L6393D采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
L6393D图片
L6393D价格
L6393D价格:¥7.2765品牌:STMICROELECTRONICS
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更多L6393D功能描述:功率驱动器IC HALF-BRIDGE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
L6393D013TR制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Half-bridge gate driver
L6393DTR功能描述:功率驱动器IC HALF-BRIDGE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
L6393D
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1.1V,1.9V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
290mA,430mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
75ns,35ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
14-SO
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO