| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
694 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
8950 |
2024+原装现货 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
360000 |
22+ |
进口原装房间现货实库实数 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FSCTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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FAIRCILDTO-220 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
694 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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FAIRCHITO220 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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OTAXSMD |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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OTAXSMD |
25000 |
22+ |
只做原装,原装,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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ONSEMINA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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KSD52图片
KSD526Y价格
KSD526Y价格：￥1.2952品牌：Fairchild
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KSD526YTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD52制造商:OTAX Corporation
KSD526制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
KSD526_06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
KSD526O功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD526OTU功能描述:TRANSISTOR NPN 80V 4A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
KSD526Y功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD526YTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD52S制造商:OTAX Corporation
