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KSD363中文资料PDF规格书

KSD363
厂商型号

KSD363

参数属性

KSD363 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 120V 6A TO220-3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

110.17 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 12:17:00

晶体管资料

  • 型号:

    KSD363

  • 别名:

    KSD363三极管、KSD363晶体管、KSD363晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-92

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    40

KSD363规格书详情

DESCRIPTION

• Collector-Base Breakdown Voltage- : V(BR)CBO= 300V(Min)

• Collector Current- IC= 6A

• Collector Power Dissipation- : PC= 40W@ TC= 25℃

APPLICATIONS

• Designed for B/W TV horizontal deflection output applications.

产品属性

  • 产品编号:

    KSD363OTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    10MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 120V 6A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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