| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-TO-220 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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FSCKSD1273QYDTU |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILDSMD |
2610 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
2432 |
23+ |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FAIRCHILD面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
2432 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORN/A |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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利广微科技（深圳)有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTOR标准封装 |
56932 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDNA |
8600 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
KSD1273Q采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
KSD1273Q图片
KSD1273QYDTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD1273Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273QTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273QYDTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
KSD1273Q
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 500mA，4V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220F-3
- 描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
