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MMBT3904	文件：555.38 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
MMBT3904	文件：146.92 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
MMBT3904	文件：92.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904	文件：327.28 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
MMBT3904	文件：338.18 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT3904-AU	文件：417.74 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=200mA •TransitionfrequencyfT>300MHz@IC=10mAdc,VCE=20Vdc,f=100MHz •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/9	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3904BDW	文件：1.26493 Mbytes Page：9 Pages	40VMatchedPairNPNSmallSignalTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
MMBT3904-C	文件：2.9517 Mbytes Page：6 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
MMBT3904DW	文件：944.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES eEpitaxialplanardieconstruction eIdealforlowpoweramplificationandswitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMBT3904DW	文件：831.63 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxialplanardieconstruction	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
MMBT3904DW	文件：549.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeDoubleTransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3904EF	文件：260.899 Kbytes Page：4 Pages	Smallsignalapplication	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
MMBT3904FA	文件：141.09 Kbytes Page：7 Pages	40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINDFN0806 Features •BVCEO>40V •IC=200mAhighCollectorCurrent •PD=435mWPowerDissipation •0.48mm2packagefootprint,16timessmallerthanSOT23 •0.4mmheightpackageminimizingoff-boardprofile •ComplementaryPNPTypeMMBT3906FA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904FW	文件：185.51 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906FW) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
MMBT3904FZ	文件：504.22 Kbytes Page：7 Pages	40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINDFN0606	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904G	文件：826.03 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Lowcurrent,Lowvoltage.HFProduct. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3904G	文件：105.02 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor Leadfreeproduct	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT3904-G	文件：92.13 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS Features -Epitaxialplanardieconstruction -Ascomplementarytype,thePNPtransistorMMBT3906-Gisrecommended	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT3904GH	文件：112.98 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor Halogen-freetype Leadfreeproduct	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT3904-H	文件：1.19223 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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