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KI6968BEDQ	文件：53.16 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AM6968N	文件：142.73 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelLogicalLevelMOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM6968NE	文件：254.89 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM6968NH	文件：319.83 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
BD6968FVM	文件：538.78 Kbytes Page：16 Pages	StandardSingle-phaseFullwave	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DMG6968U	文件：502.89 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6968U	文件：154.23 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
DMG6968U	文件：153.04 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •25mΩ@VGS=4.5V •29mΩ@VGS=2.5V •36mΩ@VGS=1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant •ESDProtectedUpTo2kV MechanicalData •Case:SOT-23 •CaseMaterial:MoldedPlast	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6968UDM	文件：151.64 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowGateCharge •LowRDS(ON): ▪24mΩ@VGS=4.5V ▪28mΩ@VGS=2.5V ▪34mΩ@VGS=1.8V •LowInput/OutputLeakage •ESDProtectedupto2kVHBM •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6968UDM	文件：257.16 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6968UQ	文件：831.99 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: Applications Powermanagementfunctions DC-DCconverters Motorcontrols Features LowOn-Resistance Lo	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6968UTS	文件：143.27 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage MechanicalData •Case:TSSOP-8 •CaseMaterial:MoldedPlastic,“Green”MoldingCompound.ULFlammabilityClassificationRating94V-0 •MoistureSensitivity:Level1perJ-STD-020 •Ter	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
GF6968A	文件：152.81 Kbytes Page：5 Pages	Common-DrainDualN-ChannelMOSFET Features •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforLi-ionbatterypacksuse •Designedforbattery-switchapplications	GE GE Industrial Company	GE
GF6968AD	文件：88.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSFETDie Features •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •FastSwitching •HightemperaturesolderinginaccordancewithCECC802/Reflowguaranteed •LogicLevel •IdealforLiionbatterypackapplications	GE GE Industrial Company	GE
H6968CS	文件：47.29 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6.5A)(BatterySwitch,ESDProtected) Features •RDS(on)=32mΩ@VGS=2.5V,ID=5.5A •RDS(on)=24mΩ@VGS=4.5V,ID=6.5A •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforLiionBatteryPacksUse •DesignedforBatterySwitchAppliactions •ESDProtected	HSMC 华昕	HSMC
H6968CTS	文件：42.24 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6.5A)BatterySwitch,ESDProtected) Features •RDS(on)	HSMC 华昕	HSMC
H6968S	文件：47.29 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6.5A)(BatterySwitch,ESDProtected) Features •RDS(on)=32mΩ@VGS=2.5V,ID=5.5A •RDS(on)=24mΩ@VGS=4.5V,ID=6.5A •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforLiionBatteryPacksUse •DesignedforBatterySwitchAppliactions •ESDProtected	HSMC 华昕	HSMC
MAX6968	文件：304.39 Kbytes Page：12 Pages	16-Port,36VConstant-CurrentLEDDriver GeneralDescription TheMAX6971serial-interfacedLEDdriverprovides16open-drain,constant-current-sinkingLEDdriveroutputsratedat36V.TheMAX6971operatesfroma3Vto5.5Vsupply.TheMAX6971supplyandtheLEDs’supplyorsuppliescanpowerupinanyorder.Theconstant-currentoutputs	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
NTQD6968	文件：76.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET6.6Amps,20Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTQD6968N	文件：85.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET7.0A,20V,CommonDrain,DualN?묬hannel,TSSOP??	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
KI6968BEDQ
制造商：
KEXIN
制造商全称：
Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
功能描述：
Dual N-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	KI6968BEDQ	KEXIN	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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