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KF8N60F	文件：83.68 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF8N60F	文件：584.89 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
8N60	文件：63.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements ·DESCRITION ·Designedforhigheffi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
8N60	文件：211.45 Kbytes Page：8 Pages	7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC8N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingap	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
8N60	文件：217.21 Kbytes Page：8 Pages	7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
8N60	文件：473.72 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
8N60	文件：879.04 Kbytes Page：12 Pages	8A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
8N60	文件：879.06 Kbytes Page：12 Pages	8A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
8N60	文件：879.48 Kbytes Page：12 Pages	8A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
8N60	文件：878.45 Kbytes Page：12 Pages	8A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
8N60	文件：1.10559 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
8N60	文件：229.78 Kbytes Page：8 Pages	8A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
8N60	文件：644.58 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
8N60	文件：2.01473 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
8N60	文件：194.26 Kbytes Page：2 Pages	8Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
8N60	文件：1.87736 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
8N60A	文件：930.52 Kbytes Page：6 Pages	8A600VN亦잓걪罌욃성?뗥쑛?덂틪嶸	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
8N60B	文件：194.26 Kbytes Page：2 Pages	8Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
8N60C	文件：644.54 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
8N60D	文件：1.87736 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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详细参数

型号：
KF8N60F
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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