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KF3N60I	文件：87.56 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.3A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N60I	文件：1.01371 Mbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.3A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
3N60	文件：162.16 Kbytes Page：8 Pages	3Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapp	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N60	文件：363.66 Kbytes Page：8 Pages	3Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N60	文件：442.29 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
3N60	文件：49.9 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3N60	文件：1.08665 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
3N60	文件：2.13901 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
3N60	文件：388.87 Kbytes Page：8 Pages	3A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N60	文件：648.61 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION 3N603N65isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplic	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
3N60	文件：388.87 Kbytes Page：8 Pages	3A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N60	文件：2.15912 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
3N60A	文件：382.84 Kbytes Page：8 Pages	3A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N60AisahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFETdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedinthehighspeedswitchingapp	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N60D	文件：2.15912 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
3N60F	文件：2.15912 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
3N60G	文件：2.15912 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
3N60K	文件：2.15912 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
3N60K	文件：383.58 Kbytes Page：8 Pages	3A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N60KisahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitching	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N60KG-TMS-T	文件：251.86 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N60KG-TMS-T	文件：255.99 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELDEPLETION-MODEPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
KF3N60I
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KF3N60I供应商更新时间2024-6-6 11:30:00

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