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SI2302CDS	文件：215.14 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI2302CDS	文件：118.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitchingforportabledevices •DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2302DDS	文件：209.68 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI2302DDS	文件：213.36 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchingforPortableDevices •DC/DCConverter	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2302DDS	文件：200.62 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2302DDS	文件：200.59 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100Rgtested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitchingforportabledevices •DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2302DS	文件：361.55 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology. Productavailability: SI2302DSinSOT23. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applic	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SI2302DS	文件：1.17051 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●VDS=20V ●RDS(on)=85mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A ●RDS(on)=115mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2302DS	文件：257.32 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability:SI2302DSinSOT23. Features TrenchMOS™technology Veryfastswitching Logiclevelcompatible Subminiaturesurfacemountpackage.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SI2302DS-HF	文件：1.11453 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=20V ●RDS(on)=85mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A ●RDS(on)=115mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2302-TP	文件：168.38 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •20V,3.0A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V •HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Ruggedandreliable •Leadfreeproductisacquired •SOT-23Package •MarkingCode:S2 •Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
SK2302AAT	文件：592.07 Kbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFETS	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SK2302AAVP	文件：769.5 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SK2302AAW	文件：669.18 Kbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SK2302AVP	文件：924.38 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SK2302AW	文件：572.37 Kbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SLS2302	文件：356.6 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementmodeFieldEffectTransistor	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
SM2302NSA	文件：263.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
SM2302NSAC-TRG	文件：263.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
SMG2302	文件：321.06 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

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更多KF2302供应商更新时间2024-5-13 10:08:00

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