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KDB3632	文件：53.34 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET Features ●rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A ●Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KDB3652	文件：53.27 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET Features ●rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A ●Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KDB3672	文件：53.42 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET Features ●rDS(ON)=24mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=44A ●Qg(tot)=24nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KDB3682	文件：53.44 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET Features ●rDS(ON)=32mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=32A ●Qg(tot)=18.5nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

更多KDB36供应商更新时间2024-4-29 9:00:00