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DEM3512C	文件：110.79 Kbytes Page：2 Pages	Lowprofile(3.5x3.7mmsquare,1.2and1.8mmMax.height).	Toko Toko Inc.	Toko
DESD3512SO	文件：476.19 Kbytes Page：4 Pages	CANBUSESDPROTECTIONDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
E3512S	文件：57.92 Kbytes Page：1 Pages	2C16AWGSOLIDBCPVC/PVC	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
EPM3512A	文件：715.02 Kbytes Page：46 Pages	ProgrammableLogicDeviceFamily GeneralDescription MAX3000Adevicesarelow–cost,high–performancedevicesbasedontheAlteraMAXarchitecture.FabricatedwithadvancedCMOStechnology,theEEPROM–basedMAX3000Adevicesoperatewitha3.3-Vsupplyvoltageandprovide600to10,000usablegates,ISP,pin-to-pindelaysasfa	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera
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EPM3512A	文件：2.063429 Mbytes Page：182 Pages	PackageInformationDatasheetforMatureAlteraDevices	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera
EPM3512A	文件：44.35 Kbytes Page：12 Pages	EPM3512ADedicatedPin-Outs GeneralDescription MAX3000Adevicesarelow–cost,high–performancedevicesbasedontheAlteraMAXarchitecture.FabricatedwithadvancedCMOStechnology,theEEPROM–basedMAX3000Adevicesoperatewitha3.3-Vsupplyvoltageandprovide600to10,000usablegates,ISP,pin-to-pindelaysasfa	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera
EPM3512A	文件：710.18 Kbytes Page：46 Pages	ProgrammableLogicDeviceFamily	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera
EPM3512A	文件：649.52 Kbytes Page：42 Pages	ProgrammableLogicDeviceFamily GeneralDescription MAX3000Adevicesarelow–cost,high–performancedevicesbasedontheAlteraMAXarchitecture.FabricatedwithadvancedCMOStechnology,theEEPROM–basedMAX3000Adevicesoperatewitha3.3-Vsupplyvoltageandprovide600to10,000usablegates,ISP,pin-to-pindelaysasfa	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera
FDC3512	文件：133.26 Kbytes Page：5 Pages	80VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •3.0	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC3512	文件：1.00842 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDS3512	文件：86.25 Kbytes Page：5 Pages	80VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •4.0A,80VRDS(ON)=70mΩ@VGS=10VRDS(ON)=80mΩ@VGS=6V •Lowgatecharge(	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GBJ3512	文件：598.99 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
GBJ3512H	文件：595.57 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
GBPC3512	文件：679.49 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
GBPC3512	文件：270.15 Kbytes Page：6 Pages	SINGLEPHASEBRIDGE Description Arangeofextremelycompact,encapsulatedsinglephasebridgerectifiersofferingefficientandreliableoperation.Theyareintendedforuseingeneralpurposeandinstrumentationapplications. Features ■Universal,3wayterminals:push-on,wraparoundorsolder ■Highthermalc	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
GBPC3512	文件：60.15 Kbytes Page：4 Pages	35AGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •LowReverseLeakageCurrent •LowPowerLoss,HighEfficiency •ElectricallyIsolatedEpoxyCaseforMaximumHeatDissipation •CasetoTerminalIsolationVoltage2500V •RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
GBPC3512	文件：462.03 Kbytes Page：3 Pages	35AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER FEATURES •ULRecognitionfilenumberE54214 •Universal3-wayterminals:snap-on,wirewrap-around,orP.C.B.mounting •TypicalIRlessthan0.3µA •Highsurgecurrentcapability •Lowthermalresistance •SolderDip260°C,40seconds •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEE	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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