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TK9A60D	文件：197.19 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.67Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=4.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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TK9A60D

文件：197.19 Kbytes

Page：6 Pages

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.67Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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更多K9A60D供应商更新时间2024-6-1 10:50:00

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