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K6R4016C1D-TC10	文件：139.87 Kbytes Page：12 Pages	256Kx16BitHighSpeedStaticRAM(5.0VOperating).OperatedatCommercialandIndustrialTemperatureRanges. GENERALDESCRIPTION TheK6R4016C1Disa4,194,304-bithigh-speedStaticRandomAccessMemoryorganizedas262,144wordsby16bits.TheK6R4016C1Duses16commoninputandoutputlinesandhasanoutputenablepinwhichoperatesfasterthanaddressaccesstimeatreadcycle.Alsoitallowsthatl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R4016C1D-TC10	文件：223.7 Kbytes Page：9 Pages	1Mx4BitHighSpeedStaticRAM(5.0VOperating) GENERALDESCRIPTION TheK6R4004C1Disa4,194,304-bithigh-speedStaticRandomAccessMemoryorganizedas1,048,576wordsby4bits.TheK6R4004C1Duses4commoninputandoutputlinesandhasanoutputenablepinwhichoperatesfasterthanaddressaccesstimeatreadcycle.Thedeviceisfabrica	SamsungSamsung Group 三星三星半导体

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K6R4016C1D-TC10

文件：139.87 Kbytes

Page：12 Pages

256Kx16BitHighSpeedStaticRAM(5.0VOperating).OperatedatCommercialandIndustrialTemperatureRanges.

GENERALDESCRIPTION TheK6R4016C1Disa4,194,304-bithigh-speedStaticRandomAccessMemoryorganizedas262,144wordsby16bits.TheK6R4016C1Duses16commoninputandoutputlinesandhasanoutputenablepinwhichoperatesfasterthanaddressaccesstimeatreadcycle.Alsoitallowsthatl

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三星三星半导体

K6R4016C1D-TC10

文件：223.7 Kbytes

Page：9 Pages

1Mx4BitHighSpeedStaticRAM(5.0VOperating)

GENERALDESCRIPTION TheK6R4004C1Disa4,194,304-bithigh-speedStaticRandomAccessMemoryorganizedas1,048,576wordsby4bits.TheK6R4004C1Duses4commoninputandoutputlinesandhasanoutputenablepinwhichoperatesfasterthanaddressaccesstimeatreadcycle.Thedeviceisfabrica

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更多K6R4016C1D-TC10内存芯片供应商更新时间2024-4-27 13:11:00

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