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K6R4008V1D-UI10	文件：139.87 Kbytes Page：12 Pages	256Kx16BitHighSpeedStaticRAM(5.0VOperating).OperatedatCommercialandIndustrialTemperatureRanges. GENERALDESCRIPTION TheK6R4016C1Disa4,194,304-bithigh-speedStaticRandomAccessMemoryorganizedas262,144wordsby16bits.TheK6R4016C1Duses16commoninputandoutputlinesandhasanoutputenablepinwhichoperatesfasterthanaddressaccesstimeatreadcycle.Alsoitallowsthatl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体

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K6R4008V1D-UI10

文件：139.87 Kbytes

Page：12 Pages

256Kx16BitHighSpeedStaticRAM(5.0VOperating).OperatedatCommercialandIndustrialTemperatureRanges.

GENERALDESCRIPTION TheK6R4016C1Disa4,194,304-bithigh-speedStaticRandomAccessMemoryorganizedas262,144wordsby16bits.TheK6R4016C1Duses16commoninputandoutputlinesandhasanoutputenablepinwhichoperatesfasterthanaddressaccesstimeatreadcycle.Alsoitallowsthatl

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

详细参数

型号：
K6R4008V1D-UI10T
制造商：
Samsung SDI
功能描述：
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R

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更多K6R4008V1D-UI10T供应商更新时间2024-4-27 14:04:00

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