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K4H560438E-GC/LB0	文件：244.04 Kbytes Page：24 Pages	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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K4H560438E-GCB0	文件：244.04 Kbytes Page：24 Pages	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438E-GCB3	文件：244.04 Kbytes Page：24 Pages	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438E-GCC4	文件：197.9 Kbytes Page：18 Pages	256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438E-GCCC	文件：197.9 Kbytes Page：18 Pages	256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128MbDDRSDRAM Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438D-GC	文件：291.04 Kbytes Page：26 Pages	DDR256Mb	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438D-NC	文件：91.5 Kbytes Page：18 Pages	256MbsTSOPII	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438D-TC	文件：235.33 Kbytes Page：25 Pages	256Mb	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438E-NC	文件：214.82 Kbytes Page：24 Pages	256MbE-dieDDRSDRAMSpecification54pinsTSOP(II)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438E-TC/LAA	文件：214.45 Kbytes Page：24 Pages	DDRSDRAM256MbE-die(x4,x8)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438E-UC	文件：297.52 Kbytes Page：23 Pages	256MbE-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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K4H560438E-UCAA	文件：297.52 Kbytes Page：23 Pages	256MbE-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438E-ULAA	文件：297.52 Kbytes Page：23 Pages	256MbE-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H560438E-VC	文件：297.75 Kbytes Page：23 Pages	256MbE-dieDDRSDRAMSpecification54sTSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

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详细参数

型号：
K4H560438E-GC
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA(x4/x8)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	K4H560438E-GCC	SAMSUNG	09+	BGA	5500	原装无铅,优势热卖	询价
深圳诚思涵科技有限公司	K4H560438E-GCB3	SAMSUNG	16+	QFP	4000	进口原装现货/价格优势!	询价
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深圳兆威电子有限公司	K4H560438E-GCA2	SAMSUNG/三星	2019	BGA	55000	专营原装正品现货	询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	K4H560438E-GCCC	SANSUNG	21+	60FBGA	35200	一级代理/放心采购	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	K4H560438E-GCB3	SAMSUNG	24+	QFP	6500	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价

更多K4H560438E-GC供应商更新时间2024-5-24 11:03:00

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