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K4H510838B-TCB0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4H510838B-NC/LCC	文件：353.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification54sTSOP-II(400milx441mil)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H510838B-TC/LCC	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H510838B-UC/LCC	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H510838B-VC/LCC	文件：353.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification54sTSOP-II(400milx441mil)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4H510838C-UC	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4H510838D	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H510838D	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDRSDRAMProductGuide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H510838D-LCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H510838D-UC/LCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H510838D-UC/LCC	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H510838D-UCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H510838F	文件：542.54 Kbytes Page：15 Pages	ConsumerMemory SDRAMProductGuide MemoryDivision November2007	SamsungSamsung Group 三星三星半导体

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详细参数

型号：
K4H510838B-TCB
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
128Mb DDR SDRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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瀚佳科技(深圳)有限公司	K4H510838B-TCB0	SANSUNG	21+	66TSOP	35200	一级代理/放心采购	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	K4H510838B-TCB3	SAMSUNG	2022+	TSOP	5000	只做原装公司现货	询价

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