首页>K4B4G0446B-MCH9>规格书详情

K4B4G0446B-MCH9中文资料PDF规格书

K4B4G0446B-MCH9
厂商型号

K4B4G0446B-MCH9

功能描述

DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification

文件大小

1.0854 Mbytes

页面数量

59

生产厂商 Samsung Group
企业简称

Samsung三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-16 18:46:00

K4B4G0446B-MCH9规格书详情

Key Features

• JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply

• VDDQ = 1.5V ± 0.075V

• 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin,

667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin

• 8 Banks

• Posted CAS

• Programmable CAS Latency(posted CAS): 6, 7, 8, 9, 10

• Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock

• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066) and 7 (DDR3-1333)

• 8-bit pre-fetch

• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting

address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless

read or write [either On the fly using A12 or MRS]

• Bi-directional Differential Data-Strobe

• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin

(RZQ : 240 ohm ± 1)

• On Die Termination using ODT pin

• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at

85°C < TCASE < 95 °C

• Asynchronous Reset

• Package : 78 balls FBGA - x4/x8

• All of Lead-Free products are compliant for RoHS

• All of products are Halogen-free

产品属性

  • 型号:

    K4B4G0446B-MCH9

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
1844+
FBGA
6528
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
SAMSUNG/三星
FBGA
28942
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十
询价
SAMSUNG/三星
21+
FBGA
15000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
SAMSUNG/三星
23+
FBGA
89630
当天发货全新原装现货
询价
SAMSUNG
2023+
FBGA
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
询价
SAMSUNG/三星
23+
NA/
18250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
SAMSUNG/三星
FBGA
68900
原包原标签100%进口原装常备现货!
询价
SAMSUNG/三星
22+21+
FBGA
15000
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
询价
SAMSUNG
21+
FBGA
35200
一级代理/放心采购
询价
SAMSANG
19+
FBGA
256800
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
询价