K3667中文资料PDF规格书
K3667规格书详情
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 0.74Ω(typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = S (typ.)
• Low leakage current: IDSS= 100 μA (VDS= 600 V)
• Enhancement-mode: Vth= 2.0~4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO252 |
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TO220 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
TO-220F |
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TOS |
TO220 |
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东芝 |
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TO-220 |
询价 | ||
TOS |
21+ |
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