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3109	文件：158.63 Kbytes Page：3 Pages	3/8SquareDriveSockets,SAE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3109	文件：92.1 Kbytes Page：2 Pages	WASHERSANDNUTS [KEYSTONE] FIBRESHOULDERWASHERS HEXMACHINENUTS NYLONSHOULDERWASHER/BUSHINGS BLINDCAPTIVENUTS-PRESSFIT METRICMACHINENUTS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3109	文件：77.23 Kbytes Page：3 Pages	113MHzBandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
3109A	文件：251.68 Kbytes Page：3 Pages	RS485,4Pr#22StrTC,POIns,OSTCBrd,PVCJkt,CM	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
3109DB	文件：232.58 Kbytes Page：3 Pages	RS-485ULDIRBUR,4Pr,22AWG,Str,TC,POIns,OSTCBrd,CPEJkt,CM,PLTC,Outdoor,SunRes,OilRes	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
3109T	文件：111.39 Kbytes Page：3 Pages	3109TMulti-Conductor-EIAIndustrialRS-485PLTC/CMG	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
3109Z	文件：110.77 Kbytes Page：3 Pages	3109ZMulti-Conductor-EIAIndustrialRS-485PLTC/CMG	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
AMS3109	文件：584.66 Kbytes Page：10 Pages	CurrentLimitprotection	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS3109	文件：584.66 Kbytes Page：10 Pages	Micropower700mALowNoiseFastTransientResponseLDO	AMSAdvanced Monolithic Systems 艾迈斯艾迈斯半导体	AMS
AMS3109S	文件：584.66 Kbytes Page：10 Pages	CurrentLimitprotection	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AN3109	文件：1.32758 Mbytes Page：9 Pages	UsingtheMulti-Axisg-SelectEvaluationBoards	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BX3109	文件：71.88 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
BYF3109	文件：253.162 Kbytes Page：0 Pages		BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
CEM3109	文件：686 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 30V,10A,RDS(ON)=14mW@VGS=10V. RDS(ON)=20mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant. -30V,-8A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. RDS(ON)=30mW@VGS	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3109	文件：620.82 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ■-30V,-8A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU3109	文件：841.4 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 30V,22A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-252-4Lpackage. RDS(ON)=20mW@VGS=4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant. -30V,-18A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. RDS(ON)=30mW@VGS	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CM3109	文件：542.88 Kbytes Page：12 Pages	2ASink/SourceRegulatorforFrontSideBusandDDRMemoryBusTermination ProductDescription TheCM3109isasinkingandsourcingregulatorspecificallydesignedforseries-parallelbusterminationforhighspeedchipsetbusesaswellasDDRmemorysystems.Itcansourceandsinkcurrentupto2Awithhighaccuracyof0.5.TheVTToutputvoltageisselectablebyVDD	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
CPH3109	文件：55.66 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features •AdoptionofMBITprocesses. •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm). •Highallowablepowerdissipat	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH3109-TL-E	文件：662.15 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CSS-3109E	文件：191.93 Kbytes Page：6 Pages	0.31InchSingleDigitDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI

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更多K3109供应商更新时间2024-5-1 14:02:00

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