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ME2N7002DW	文件：1.01276 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME2N7002KW	文件：1.01275 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME2N7002W	文件：1.01271 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PZ2N7002M	文件：177.4 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNiko Semiconductor Co.,Ltd. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
S2N7002	文件：88.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChSmallSignalMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S2N7002DW	文件：252.69 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S2N7002DW	文件：945.19 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
S2N7002K	文件：1.01112 Mbytes Page：3 Pages	115mA,60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S2N7002KDW	文件：312.66 Kbytes Page：2 Pages	Dual-ChannelMOSFET.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S2N7002KDW-C	文件：312.66 Kbytes Page：2 Pages	Dual-ChannelMOSFET.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S-2N7002KL	文件：963.44 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalMOSFET380mAmps,60VoltsN?밅hannelSOT-23	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
S2N7002KT	文件：470.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET FEATURES LowGateChargeforFastSwitching. ESDProtectedGate. APPLICATIONS PowerManagementLoadSwitch PortableApplicationssuchasCellPhones,MediaPlayers,DigitalCameras,PDA’s,VideoGames,HandHeldComputers,etc.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S2N7002KW	文件：542.52 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S2N7002KW	文件：1.0133 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
S2N7002SW	文件：752.16 Kbytes Page：4 Pages	0.38A,60V,RDS(O)2.8ohmN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S2N7002W	文件：1.01338 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
S2N7002W	文件：93.19 Kbytes Page：3 Pages	N-ChSmallSignalMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SPN2N7002K	文件：508.96 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. SYNC POWER Crop.	SYNC-POWER
SW2N7002	文件：621.55 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancedmodeSOT-23MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
T2N7002AK	文件：598.83 Kbytes Page：7 Pages	HighSpeedSwitchingApplications ○HighSpeedSwitchingApplications •ESDprotectedgate •LowON-resistanceRDS(on)=2.8Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(on)=3.1Ω(typ.)(@VGS=5V) RDS(on)=3.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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