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2609B	文件：49.7 Kbytes Page：4 Pages	2609BBroadbandPhotodiodeModule Description The2609Bisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiber-opticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetobettercontro	agere 杰尔
2609B	文件：938.88 Kbytes Page：4 Pages	BroadbandPhotodiodeModule The2609Bisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiberopticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetobettercontrolofparasitic	EMCORE Emcore Corporation
2609C	文件：49.93 Kbytes Page：4 Pages	2609CBroadbandPhotodiodeModule Description The2609Cisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiber-opticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetocontrolofpa	agere 杰尔
AP2609GY-HF	文件：64.849 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP2609GYT-HF	文件：63.86 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallSize&LowerProfile	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
CEC2609	文件：680.64 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 20V,4.8A,RDS(ON)=38mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. -20V,-3.0A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=145mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. S2	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEH2609	文件：572.07 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,3.5A,RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=80mΩ@VGS=2.5V. ■-20V,-2.5A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=145mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapa	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEH2609A	文件：560.21 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 20V,4A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. -20V,-2.8A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
FKN2609	文件：580.45 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKN2609isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKN2609meetstheRoHSandGreenProduct requirementwithfullfunctionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司東沅科技股份有限公司
FKUC2609	文件：591.63 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKUC2609isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKUC2609meetstheRoHSandGreen Productrequirementwithfullfunctionreliability approved.	FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司東沅科技股份有限公司
IRS2609DSPBF	文件：1.03023 Mbytes Page：23 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRS2609DSPBF	文件：831.8 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRS2609DSPBF	文件：820.64 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRS2609DSTRPbF	文件：1.03023 Mbytes Page：23 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
KSC2609A	文件：50.96 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyHighFrequencyPowerAmplifier AudioFrequency HighFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSA1220/KSA1220A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
LM2609	文件：1.44456 Mbytes Page：6 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
LTC2609	文件：318.58 Kbytes Page：20 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 线性技术公司
LTC2609CGN	文件：318.58 Kbytes Page：20 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 线性技术公司
LTC2609CGNPBF	文件：251.52 Kbytes Page：22 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 线性技术公司
LTC2609CGNTRPBF	文件：251.52 Kbytes Page：22 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 线性技术公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市近平电子有限公司	K2609		6000	面议	19	MT4	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	K2609		23+	MT4	65480		询价
深圳市博浩通科技有限公司	K2610	TOSHIBA	23+	TO-247	3000	全新原装	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	K2610	TOSHIBA/东芝	1926+	TO-3P	6852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
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更多K2609供应商更新时间2024-4-26 16:24:00

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