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TK12A55D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK12A55D	文件：194.05 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.48Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=550V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK12A55D	文件：319.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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制造商&上传企业

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TK12A55D

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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SwitchingRegulatorApplications

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.48Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=6.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=550V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

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东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多K12A55D供应商更新时间2024-4-30 8:30:00

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