选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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FAIRCHILDSOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
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FSCTO-252 |
3700 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
1700 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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FAIRCHILDTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
147 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILDSOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市昊创电子有限公司12年
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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FAIRCHILDSOT252 |
3000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILTO-252 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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FAIRCTO-251(IPAK) |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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FAIRCHILD/仙童SOT-252 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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FAIRCHILDTO-252 |
3000 |
07+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-251(IPAK) |
48000 |
2022+ |
只做原装,原装,假一罚十 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-251 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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FAIRCHILD/仙童SOT-252 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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NEXPERIA/安世SOT108-1 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILDSOT-252 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
38460 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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KSH2955TF价格
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更多KSH29制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
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KSH2955TM功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSH29C制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
KSH29CITU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSH29CTF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSH29ITU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2