选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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SAMSUNG/三星NA |
880000 |
1999 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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SAMSUNG/三星 |
49000 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-226-3,TO-92-3 短体 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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KSD1021GBU图片
KSD1021GBU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD1021GBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
KSD1021GBU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 100mA,1V
- 频率 - 跃迁:
130MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 短体
- 供应商器件封装:
TO-92S
- 描述:
TRANS NPN 30V 1A TO92S