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深圳市特顺芯科技有限公司

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SAMSUNG

104000

07+

深圳市振宏微科技有限公司

8年 留言
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FSCKSC838CYTA

13528

23+

振宏微原装正品,假一罚百

深圳市正迈科技有限公司

8年 留言
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FSC/ON原包装原封 □□

1252

23+

原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存

深圳市星佑电子有限公司

16年 留言
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SAMSUNG原厂原装

951

05+

只做全新原装真实现货供应

深圳市近平电子有限公司

8年 留言
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FAIRCHILD面议

19

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DIP/SMD

深圳市安罗世纪电子有限公司

6年 留言
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FAIRCHILDSMD

9760

2023+

安罗世纪电子只做原装正品货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

2年 留言
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onsemiTO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)

9350

24+

独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

5年 留言
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JXK/杰信科TO-92

13000

原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

上海市鑫鸿达电子

13年 留言
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SAMSUNG/三星

900

2022+

全新原装 货期两周

深圳市振宏微科技有限公司

8年 留言
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FSCKSC838COBU

13528

23+

振宏微原装正品,假一罚百

深圳市振宏微科技有限公司

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FSCKSC838COTA

13528

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振宏微原装正品,假一罚百

深圳市正迈科技有限公司

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FSC/ON原包装原封□□

1718

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深圳市正迈科技有限公司

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FSC/ON原包装原封 □□

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FSC/ON原包装原封□□

9745

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深圳市正迈科技有限公司

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深圳市正迈科技有限公司

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FSC/ON原包装原封□□

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深圳市近平电子有限公司

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    朱R/朱S

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SMG面议

19

6000

TO-92

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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onsemiTO-226-3,TO-92-3 标准主体(!-

9350

24+

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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onsemiTO-226-3,TO-92-3 标准主体(!-

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24+

独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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onsemiTO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)

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KSC838COBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC838COTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC838COTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC838CYBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC838CYTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC838CYTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2