选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
onsemiTO-220-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO220 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
KSB834O采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
KSB834O图片
KSB834OTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSB834O功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
KSB834O
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 300mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
9MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
TRANS PNP 60V 3A TO220-3