选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
192 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
18940 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
6000 |
21+ |
全新原装 公司现货 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
9710 |
23+ |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1709 |
21+ |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
18940 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货热卖 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FAIRCHILD面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
11883 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
192 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220 |
68900 |
SAMSUNG/三星 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
12820 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SAMSUNG/三星TO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO220-3 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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KSA614Y价格
KSA614Y价格:¥1.3971品牌:Fairchild
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更多KSA614Y功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSA614YTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSA614YTU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSA614YTU_Q功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
KSA614Y
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 500mA,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
TRANS PNP 55V 3A TO220-3