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P2N2222	文件：238.53 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
P2N2222	文件：245.8 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS ComplementarySiliconTransistorsForSwitchingAndLinearApplications DCAmplifier&DriverForIndustrialApplications.	CDIL CDIL	CDIL
P2N2222	文件：86.08 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
P2N2222A	文件：86.08 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
P2N2222A	文件：165.06 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
P2N2222A	文件：238.53 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
P2N2222A	文件：245.8 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS ComplementarySiliconTransistorsForSwitchingAndLinearApplications DCAmplifier&DriverForIndustrialApplications.	CDIL CDIL	CDIL
P2N2222AG	文件：165.06 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SF_2N2222AXCSM	文件：10.63 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedLCC1CeramicSurfaceMountPackageforHighReliabilityApplications	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
ST2N2222	文件：218.66 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain.Ascomplementary typethePNPtransistorST2N2907andST 2N2907Aarerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
ST2N2222A	文件：218.66 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain.Ascomplementary typethePNPtransistorST2N2907andST 2N2907Aarerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
TS2N2222A	文件：44.03 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeNPNTransistor BVCEO=40V Ic=600mA VCE(SAT),=0.2V(typ.)@Ic/Ib=500mA/50mA Features ◇DriverstageofAFamplifier. ◇Generalpurposeswitchingapplication Structure ◇Epitaxialplanartype.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS2N2222ACXRF	文件：44.03 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeNPNTransistor BVCEO=40V Ic=600mA VCE(SAT),=0.2V(typ.)@Ic/Ib=500mA/50mA Features ◇DriverstageofAFamplifier. ◇Generalpurposeswitchingapplication Structure ◇Epitaxialplanartype.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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