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JTDB25	文件：113.08 Kbytes Page：2 Pages	High power COMMON BASE bipolar transistor. GENERALDESCRIPTION TheJTDB25isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandoutputprematchfor	GHZTECHGHz Technology GHz Technology	GHZTECH
JTDB25	文件：187.17 Kbytes Page：3 Pages	25 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics, 960-1215 MHz GENERALDESCRIPTION TheJTDB25isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandoutputprematchforb	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JTDB25	文件：110.25 Kbytes Page：2 Pages	25 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz [GHz-Technology] GENERALDESCRIPTION TheJTDB25isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandou	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
JTDB25	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：55AW-1 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

产品属性

产品编号：
JTDB25
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
频率 - 跃迁：
960MHz ~ 1.215GHz
增益：
7.5dB
功率 - 最大值：
97W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
5A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55AW-1
供应商器件封装：
55AW-1
描述：
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

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