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FPF1048BUCX	文件：405.16 Kbytes Page：3 Pages	InputVoltageOperatingRange:1.5Vto5.5V Description TheFPF1048advancedloadmanagementswitchtargetsapplicationsrequiringahighlyintegratedsolution.ItdisconnectsloadspoweredfromtheDCpowerrail( Features ■InputVoltageOperatingRange:1.5Vto5.5V ■TypicalRDS(ON): -21mΩatVIN=5.5V -23mΩatVIN=4	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FZT1048A	文件：488.3 Kbytes Page：7 Pages	17.5VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>17.5V •BVCES>50V •IC=5AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT1048A	文件：676.96 Kbytes Page：7 Pages	17.5VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT1048A	文件：143.63 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWER Features •BVCEO>17.5V •BVCES>50V •IC=5AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT1048A	文件：132.01 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FEATURES VCEO=17.5V 5AmpContinuousCurrent 20AmpPulseCurrent LowSaturationVoltage HighGain ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)=50mΩat5A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT1048A	文件：38.7 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarMediumPowerHighGainTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=5A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=17.5V ●LowSaturationVoltage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT1048ATA	文件：676.96 Kbytes Page：7 Pages	17.5VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT1048ATA	文件：488.3 Kbytes Page：7 Pages	17.5VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>17.5V •BVCES>50V •IC=5AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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HAT1048R	文件：37.99 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPChannelPowerMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT1048RJ	文件：2.11145 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISF1048	文件：594.5 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=56A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=145mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISP1048E	文件：158.25 Kbytes Page：16 Pages	High-DensityProgrammableLogic	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
ISPLSI1048C	文件：185.09 Kbytes Page：12 Pages	In-SystemProgrammableHighDensityPLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
ISPLSI1048E	文件：287.19 Kbytes Page：17 Pages	In-SystemProgrammableHighDensityPLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
KP1048	文件：106.05 Kbytes Page：2 Pages	QUICKCONNECTRECTIFIER QuickConnectRectifier •RuggedConstruction •GlassPassivatedDie •ConvenientMounting •QuickConnect1/4Tabs •RRMto1000V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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