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BFP193	文件：78.73 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BFP193T	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlargesignalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFP193TRW	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlargesignalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFP193TRW	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFP193TW	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlargesignalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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BFP193W	文件：75.36 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,F=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP193W	文件：59.92 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BFQ193	文件：28.06 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=7.5GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BFR193	文件：78.29 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193	文件：514.48 Kbytes Page：6 Pages	NPNBipolarRFTransistor NPNBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
JL193BGA
功能描述：
校验器 IC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

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