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AP139	文件：183.13 Kbytes Page：8 Pages	300mALow-NoiseCMOSLDO	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AP139	文件：227.66 Kbytes Page：7 Pages	300mALOW-NOISECMOSLDO	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AP139-TW	文件：183.13 Kbytes Page：8 Pages	300mALow-NoiseCMOSLDO	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AP139-TWA	文件：183.13 Kbytes Page：8 Pages	300mALow-NoiseCMOSLDO	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
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AP139-WA	文件：183.13 Kbytes Page：8 Pages	300mALow-NoiseCMOSLDO	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AP139-XXW	文件：227.66 Kbytes Page：7 Pages	300mALOW-NOISECMOSLDO	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
APAMSTJ-139	文件：3.73278 Mbytes Page：2 Pages	TetraAntennaModule	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ARJ-139	文件：3.98539 Mbytes Page：3 Pages	RJ451000Base-TSinglePort,PoE,w/LEDs,ExtendTemp	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
BC139	文件：116.05 Kbytes Page：3 Pages	AUDIOOUTPUTAMPLIFIER DESCRIPTION TheBC139isasiliconplanarepitaxialPNPtransistorinaTO-39metalcase.Itisparticularlydesignedforuseinaudiooutputanddriverstages.TheComplementaryNPNtypeistheBC119.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BCR139	文件：185.09 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR139F	文件：185.09 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR139T	文件：185.09 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD139	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD139	文件：41.31 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD139	文件：33.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD139	文件：100.81 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD135,137,139arecomplementarywithBD136,138,140	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD139	文件：44.25 Kbytes Page：8 Pages	NPNpowertransistors DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD139	文件：84.97 Kbytes Page：2 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS NPNPOWERTRANSISTORS FEATURES Highcurrent(max.1.5A) Lowvoltage(max.80V)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD139	文件：76.42 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
JHS-139-PIN
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 定向耦合器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
耦合器类型：
标准
频率：
250MHz ~ 500MHz
应用：
通用
插损：
0.5dB
功率 - 最大值：
4W
隔离：
15dB
封装/外壳：
SF-1
供应商器件封装：
SF-1
描述：
HYBRID,QUADRATURE

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