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JANTXV1N5811URS	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SQ-MELF，B 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5811	文件：59.51 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustryrecognized6.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5811	文件：133.12 Kbytes Page：3 Pages	MILITARYAPPROVED,HIGHEFFICIENCY,2.5AMPAND6.0AMP DESCRIPTION This“ultrafastrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.5Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5811	文件：42.47 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENTCYAXIALLEADRECTIFIERS HERMETICAXIAL/MELFHIGHEFFICIENTCYRECTIFIER •Hermetic,non-cavityglasspackage •Metallurgicallybonded •Manufacture&screentoJANSperMIL-PRF-19500/477 usingSensitronspecification,7700-409X •Physicaldimensions:AxialleadsimilartoEpackage andsurfacemountsi	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N5811	文件：98.06 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES PRV:50-150Volts Io:6.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Ultrafastrecoverytime *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5811	文件：73.36 Kbytes Page：2 Pages	SINTEREDGLASSJUNCTIONFASTAVALANCHERECTIFIERVOLTAGE竊?50VCURRENT:3.0A VOLTAGE：150VCURRENT:3.0A FEATURE Glasspassivated Hermeticallysealedpackage Lowreversecurrent Softrecoverycharacteristics	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1N5811	文件：43.36 Kbytes Page：3 Pages	HERMETICAXIAL/MELFHIGHEFFICIENCYRECTIFIER	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N5811	文件：132.52 Kbytes Page：7 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5811	文件：86.29 Kbytes Page：1 Pages	SILICONRECTIFIER-VERYFASTSWITCHING DESCRIPTION ThisseriesofHighEfficiencyPowerRectifiersallowscircuitdesignerstodesignhighcurrent,highfrequencysuppliesto500kHzwithverylowdiodelosses.Thehighforwardsurgecapabilitymakesthesedevicesusefulinprotectivecircuits. FEATURES ●ExceptionalEfficiency ●L	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5811	文件：200.88 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIER,upto150V,6A,30ns AXIALLEADEDHERMETICALLYSEALEDSUPERFASTRECTIFIERDIODE ●Verylowreverserecoverytime ●HermeticalsealedinMetoxilitefusedmetaloxide ●Lowswitchinglosses ●Soft,non-snapoff,recoverycharacteristics ●Verylowforwardvoltagedrop	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N5811	文件：43.19 Kbytes Page：3 Pages	HERMETICAXIAL/MELFHIGHEFFICIENTCYRECTIFIER HERMETICAXIAL/MELFHIGHEFFICIENTCYRECTIFIER •Hermetic,non-cavityglasspackage •Metallurgicallybonded •Manufacture&screentoJANSperMIL-PRF-19500/477 usingSensitronspecification,7700-409X •Physicaldimensions:AxialleadsimilartoEpackage andsurfacemountsi	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N5811	文件：626.56 Kbytes Page：4 Pages	PopularJEDECRegisteredSeries Description The“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhighreliabilityapplications.Theseindustryrecognized6Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsarehermeticallysealedwithvoidlessglas	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5811	文件：131.92 Kbytes Page：7 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustryrecognized6.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5811	文件：573.15 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIERSHIGHEFFICIENCY RECTIFIERSHIGHEFFICIENCY 2.5AMPTO20AMP	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5811CB	文件：215.62 Kbytes Page：3 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/742andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustryrecognized6.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsa	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5811CBUS	文件：166.4 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTVOIDLESSHERMETICALLY-SEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/742andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustryrecognized6.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsa	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5811U	文件：92.78 Kbytes Page：7 Pages	Aerospace6Afastrecoveryrectifier Description ThispowerultrafastrecoveryrectifierisdesignedandpackagedtocomplywiththeESCC5000specificationforaerospaceproducts.ItishousedinasurfacemounthermeticallysealedLCC2Bpackagewhosefootprintis100compatiblewithindustrystandardsolutionsinD5B. The1N5811U	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
1N5811URS	文件：131.92 Kbytes Page：7 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustryrecognized6.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5811US	文件：132.52 Kbytes Page：7 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5811US	文件：110.17 Kbytes Page：2 Pages	SuperfastRecoveryDiodesSurfaceMount(US) Description Quickreferencedata VR50-150V IF1N5807USto1N5811US=6A trr1N5807USto1N5811US=30nS IR1N5807USto1N5811US=5µA Features ◆Verylowreverserecoverytime ◆Hermeticallysealednon-cavityconstruction ◆Soft,non-snap,offrecoverycharacteristics ◆Verylowforwa	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH

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产品属性

产品编号：
JANTXV1N5811URS
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/477
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
60pF @ 10V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SQ-MELF，B
供应商器件封装：
B，SQ-MELF
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瑞航达科技(深圳)有限公司	JANTXV1N5811URS	MICROSEMI			638	原装正品	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	JANTXV1N5811URS	Microsemi	1941+	N/A	909	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	JANTXV1N5811URS	MICROSEMI	1809+	DO-213	96	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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