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JANTXV1N3011B	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10 WATT ZENER DIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
JANTXV1N3011B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 150V 10W DO213AA	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
1N3011	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
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1N3011	文件：291.24 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES ZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N3011	文件：1.03124 Mbytes Page：2 Pages	Glasspassivatedjunction Features ●Glasspassivatedjunction ●Goodclampingability ●AvailableinNormalandReversepolarity ●MetricandUNFthreadtype ElectricalData ●DCPowerDissipation:10Watts ●VoltageRange6.8–200Volts ●Operatingtemperature-65°Cto+175°C ●Derating:80mW/oCabove50°C ●	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
1N3011	文件：1.01995 Mbytes Page：2 Pages	10WZenerDiodes	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
1N3011A	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
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1N3011B	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3011B	文件：107.63 Kbytes Page：1 Pages	ZenerDiodes	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3011B	文件：135.76 Kbytes Page：2 Pages	10WZENERDIODE6.8VOLTSTO200VOLTS5TOLERANCE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N3011B	文件：103.17 Kbytes Page：2 Pages	Silicon10WATTZenerDiodes DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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1N3011BR	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3011C	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3011D	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3011R	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司

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产品属性

产品编号：
JANTXV1N3011B
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/124
包装：
散装
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 175°C
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-213AA（DO-4）
描述：
DIODE ZENER 150V 10W DO213AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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