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JANTX1N483B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N483	文件：57.76 Kbytes Page：1 Pages	HighConductanceDO-35Diodes Features ●Humidityproofglass ●Thermallymatchedsystem ●Nothermalfatigue ●Noapplicationsrestrictions ●SigmaBond™platedcontacts ●100guaranteedsolderability ●Problemfreeassembly ●SixSigmaquality ●LL-35MiniMELFtypesavailable	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N483	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N483A	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N483A	文件：90.56 Kbytes Page：1 Pages	SIRECTIFIER,100MAI(O)/I(F)S200MA Description:SiRectifier,100mA	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N483AM	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N483B	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N483B	文件：25.91 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALDIODE SmallSignalDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N483B	文件：109.83 Kbytes Page：1 Pages	LOWPOWERMINIATUREGLASSPASSIVATEDSILICONDIODES FEATURES: ●Hightemperaturemetallurgicallybonded ●0.2ampereoperationatTA=25°Cwithnothermal runaway ●Hermeticallysealedpackage ●Ideallysuitedforminiaturizedequipment ●Glasspassivatedcavity-freejunction	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N483B	文件：78.42 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHINGDIODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N483B	文件：67.89 Kbytes Page：1 Pages	HighConductanceDO-35Diodes Features ●Humidityproofglass ●Thermallymatchedsystem ●Nothermalfatigue ●Noapplicationsrestrictions ●SigmaBond™platedcontacts ●100guaranteedsolderability ●Problemfreeassembly ●SixSigmaquality ●LL-35MiniMELFtypesavailable	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N483B	文件：68.16 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONDIODES •AVAILABLEINJAN,JANTX,ANDJANTXV PERMIL-PRF-19500/118 •GENERALPURPOSESILICONDIODES •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N483B	文件：45.03 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONDIODES Features ●Humidityproofglass ●Thermallymatchedsystem ●Nothermalfatigue ●Noapplicationsrestrictions ●SigmaBond™platedcontacts ●100guaranteedsolderability ●Problemfreeassembly ●SixSigmaquality ●LL-35MiniMELFtypesavailable	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N483B	文件：57.76 Kbytes Page：1 Pages	HighConductanceDO-35Diodes Features ●Humidityproofglass ●Thermallymatchedsystem ●Nothermalfatigue ●Noapplicationsrestrictions ●SigmaBond™platedcontacts ●100guaranteedsolderability ●Problemfreeassembly ●SixSigmaquality ●LL-35MiniMELFtypesavailable	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N483B	文件：220.856 Kbytes Page：1 Pages	60VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N483B	文件：58.76 Kbytes Page：1 Pages	LOWLEAKAGERECTIFIER LOWLEAKAGERECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N483BM	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N483BUR	文件：70.76 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHINGDIODE FEATURES •1N483BUR •SWITCHINGDIODE •METALLURGICALLYBONDED •HERMETICALLYSEALED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •ALSOAVAILABLEASLL483B,CDLL483B	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N483C	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N483M	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1

产品属性

产品编号：
JANTX1N483B
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/118
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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