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JANTX1N3014B	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10 WATT ZENER DIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
JANTX1N3014B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：ZENER DIODE	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
1N3014	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
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1N3014	文件：1.01995 Mbytes Page：2 Pages	10WZenerDiodes	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
1N3014	文件：291.24 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES ZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N3014	文件：1.03124 Mbytes Page：2 Pages	Glasspassivatedjunction Features ●Glasspassivatedjunction ●Goodclampingability ●AvailableinNormalandReversepolarity ●MetricandUNFthreadtype ElectricalData ●DCPowerDissipation:10Watts ●VoltageRange6.8–200Volts ●Operatingtemperature-65°Cto+175°C ●Derating:80mW/oCabove50°C ●	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
1N3014A	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3014A	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3014AR	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
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1N3014B	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3014B	文件：135.76 Kbytes Page：2 Pages	10WZENERDIODE6.8VOLTSTO200VOLTS5TOLERANCE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N3014B	文件：103.17 Kbytes Page：2 Pages	Silicon10WATTZenerDiodes DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3014B	文件：103.17 Kbytes Page：2 Pages	SILICON10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinking	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3014BR	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3014C	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3014D	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3014R	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司

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产品属性

产品编号：
JANTX1N3014B
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/124
包装：
散装
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-213AA（DO-4）
描述：
ZENER DIODE

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