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JANSR2N7661T3

Radiation Hardened Power MOSFET Thru-Hole (Low-Ohmic TO-257AA) -200V, -14A, P-channel, R9 Superjunction Technology

Features Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof90.5MeV·cm2/mg) ImprovedSOAforlinearmodeoperation LowRDS(on) Improvedavalancheenergy Simpledriverequirements Hermeticallysealed Electricallyisolated Ceramiceyelets ESDrating:class2perMIL-STD-75

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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更多JANSR2N7661T3供应商 更新时间2024-6-8 14:00:00