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JANSD2N2907AUA/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：4-SMD，无引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 0.6A UA	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N2907	文件：52.79 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistors DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-18metalpackage. NPNcomplements:2N2222and2N2222A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N2907	文件：233.7 Kbytes Page：4 Pages	1.8WPNPGENERALPURPOSESAMLLSIGNALTRANSISTORS 1.8WPNPGENERALPURPOSESAMLLSIGNALTRANSISTORS ThesetransistoraresiliconplanarpitaxialpnpdevicesconformingtoJEDECTO-18,BSSO-132AandIECC7/B11outlines. Theyaredesignedforhighspeedsaturatedswitchingandgeneralpurposeapplication.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N2907	文件：31.65 Kbytes Page：1 Pages	ChipType2C2907AGeometry0600PolarityPNP Chiptype2C2907AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features:Radiationgraphsavailable	Semicoa SEMICOA	Semicoa
2N2907	文件：41.15 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARTRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
2N2907	文件：231.25 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS THE2N2907,2N2907A,PN2907,PN2907AAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORGENERALPURPOSEAMPLIFIERSANDMEDIUMSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N2907	文件：11.21 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO18MetalPackage	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N2907	文件：78 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPNPTRANSISTOR DESCRIPTION The2N2907AisDesignedforGeneralPurposeAmplifierandSwitchingApplications.	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
2N2907	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches	RAYTHEONRaytheon Company. 雷神	RAYTHEON
2N2907	文件：63.39 Kbytes Page：5 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIERSANDSWITCHES DESCRIPTION The2N2905and2N2907aresiliconplanarepitaxialPNPtransistorsinJedecTO-39(for2N2905)andinJedecTO-18(for2N2907)metalcase.Theyaredesignedforhighspeedsaturatedswitchingandgeneralpurposeapplication. 2N2905approvedtoCECC50002-102, 2N2907approvedto	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N2907	文件：187.78 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS The2N2907and2N2907aAarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N2907	文件：157.67 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS The2N2907and2N2907aAarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N2907	文件：459.29 Kbytes Page：3 Pages	PNPSwitchingTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N2907	文件：531.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N2907	文件：415.43 Kbytes Page：3 Pages	PNPSwitchingTransistors Features •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.60V) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N2907	文件：531.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N2907	文件：1.27345 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowLeakagecurrent,Lowcollectorsaturationvoltage. Applications Generalamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2N2907	文件：250.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintoonegroupaccordingtoitsDCcurrentgain.AscomplementarytypetheNPNtransistorST2N2222andST2N2222Aarerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanu	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2N2907	文件：150.36 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIERSTRANSISTORS GENERALPURPOSEAMPLIFIERSTRANSISTORS The2N2907and2N2907AarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N2907	文件：32.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistorST 2N2222andST2N2222Aarerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
JANSD2N2907AUA/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/291
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-SMD，无引线
供应商器件封装：
UA
描述：
TRANS PNP 60V 0.6A UA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	JANSD2N2907AUA/TR	Microchip Technology	24+	4-SMD,无引线	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	JANSD2N2907AUA/TR	Microchip	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市川蓝电子科技有限公司	JANSD2N2907AUA/TR	microchipdirect	23+		15422	原包装原标现货,假一罚十,	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	JANSD2N2907AUA/TR	Microchip Technology	24+	4-SMD,无引线	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价

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