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JANS2N6851	文件：135.28 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) 200V,P-CHANNEL TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTX2N6851	文件：248.92 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTX2N6851	文件：282.47 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=-4.0A) 200V,P-CHANNEL TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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JANTX2N6851U	文件：203.34 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) BVDSS-200V RDS(on)0.80Ω ID-4.0A Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitytheyneedt	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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