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JAN2N6250分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

JAN2N6250
厂商型号

JAN2N6250

参数属性

JAN2N6250 封装/外壳为TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 275V 10A TO3

功能描述

NPN POWER SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN 275V 10A TO3

文件大小

67.39 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-1 15:00:00

JAN2N6250规格书详情

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/510

JAN2N6250属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。美高森美公司制造生产的JAN2N6250晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    JAN2N6250

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/510

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 1.25A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 10A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3(TO-204AA)

  • 描述:

    TRANS NPN 275V 10A TO3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROSEMI
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原装正品
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