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JAN1N5822	文件：45.79 Kbytes Page：2 Pages	3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS •1N5822AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANS PERMIL-PRF-19500/620 •3AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •METALLURGICALLYBONDED MAXIMUMRATINGS OperatingTemperature:-65°Cto+125°C StorageTemperature:-65°Cto+150°C AverageRectifiedForwardCurre	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N5822	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-201AD，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SCHOTTKY DIODE 40V, 3A, /620	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
JAN1N5822	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：B，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
JAN1N5822/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：B，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5822	文件：55.01 Kbytes Page：2 Pages	3AMPERESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER(VOLTAGE-20to40VoltsCURRENT-3.0Amperes) VOLTAGE20to40VoltsCURRENT3.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5822	文件：76.69 Kbytes Page：2 Pages	3AMPERESCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSVOLTAGE-20to40VoltsCURRENT-3.0Ampere??? VOLTAGE-20to40VoltsCURRENT-3.0Ampere s	Surge SURGE COMPONENTS	Surge
1N5822	文件：168.51 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow–voltage,	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
1N5822	文件：159.19 Kbytes Page：2 Pages	3AMPERESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5822	文件：36.84 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5822	文件：25.11 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
1N5822	文件：142.58 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMP.SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N5822	文件：13.77 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGE:20TO40VCURRENT:3.0A FEATURES •Epitaxialconstructionforchip •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed: 250°C/10sec/0.375(9.5mm)leadlength at5lbstension	SSEShanghai Sunrise Electronics Shanghai Sunrise Electronics	SSE
1N5822	文件：39.5 Kbytes Page：2 Pages	3.0AmpereSchottkyBarrierRectifiers Features •3.0ampereoperationatTA=95°C withnothermalrunaway. •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N5822	文件：36.18 Kbytes Page：2 Pages	3AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5822AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/620 •3AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N5822	文件：169.09 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsliiconjunction,majoritycarrietconduction •Guardringforovercoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N5822	文件：151.43 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40Volts CURRENT3.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	BYTES Bytes	BYTES
1N5822	文件：392.88 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
1N5822	文件：32.8 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N5822	文件：28.39 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES PRV:20-40Volts IO:3.0Ampere FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Highefficiency Lowpowerloss Lowcost Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5822	文件：51.96 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FeaturesandBenefits •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplicat	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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产品属性

产品编号：
JAN1N5822
制造商：
Semtech Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
SCHOTTKY DIODE 40V, 3A, /620

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瑞航达科技(深圳)有限公司	JAN1N5822	MICROSEMI			638	原装正品	询价
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