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JAN1N5612中文资料PDF规格书

JAN1N5612
厂商型号

JAN1N5612

参数属性

JAN1N5612 封装/外壳为G,轴向;包装为卷带(TR);类别为电路保护 > TVS - 二极管;JAN1N5612应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 49VWM 78.5VC G AXIAL

功能描述

POWER ZENER RECTIFIER

文件大小

136.02 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 11:24:00

JAN1N5612规格书详情

Description

Zener diodes with a high surge capability qualified to MIL-S-19500/434

Features

· 1500 Watts for 1 ms Pulse Power Capability

· Small Physical Size

· Designed for MIL-STD-704A Applications

产品属性

  • 产品编号:

    JAN1N5612

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/434

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    49V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    54V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    78.5V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    19A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    1500W(1.5kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    G,轴向

  • 供应商器件封装:

    G,轴向

  • 描述:

    TVS DIODE 49VWM 78.5VC G AXIAL

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