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JAN1N4100DUR-1中文资料PDF规格书

JAN1N4100DUR-1
厂商型号

JAN1N4100DUR-1

参数属性

JAN1N4100DUR-1 封装/外壳为DO-213AA(玻璃);包装为散装;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:DIODE ZENER 7.5V DO213AA

功能描述

SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

文件大小

109.42 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-3 20:00:00

JAN1N4100DUR-1规格书详情

• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435

• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C

Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C

Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum

产品属性

  • 产品编号:

    JAN1N4100DUR-1

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/435

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±1%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-213AA(玻璃)

  • 供应商器件封装:

    DO-213AA

  • 描述:

    DIODE ZENER 7.5V DO213AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MROSEMI/美高森美
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NA/
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全新原装正品/库存充足
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MICROSEMI
RoHSCompliant
原厂封装
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neworiginal
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