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JAN1N1188R中文资料PDF规格书

JAN1N1188R
厂商型号

JAN1N1188R

参数属性

JAN1N1188R 封装/外壳为DO-203AB,DO-5,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

功能描述

Military Silicon Power Rectifier

文件大小

113.39 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-24 18:52:00

JAN1N1188R规格书详情

HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/297

• Glass Passivated Die

• Glass to Metal Seal Construction

• 500 Amps Surge Rating

• VRRM to 1000 Volts

产品属性

  • 产品编号:

    JAN1N1188R

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/297

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准型,反极性

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    35A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-203AB,DO-5,接线柱

  • 供应商器件封装:

    DO-5

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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