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BC848	文件：228.34 Kbytes Page：3 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForswitchingandAFamplifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC848	文件：111.64 Kbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC848	文件：2.62211 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
BC848	文件：1.35798 Mbytes Page：5 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
BC848	文件：476.38 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor NPNSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BC848	文件：98.91 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC848	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC848	文件：187.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR Features ●Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25°C) ●PluseDrain ICM:0.1mA ●ReverseVoltage V(BR)CBO:BC84680V BC84750V BC84830V ●Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC848	文件：850.41 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC848	文件：107.2 Kbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC−70/SOT−323whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring Un	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC848	文件：704.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BC848	文件：173.68 Kbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC−70/SOT−323whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring Un	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC848_SER	文件：2.00921 Mbytes Page：12 Pages	30V,100mANPNgeneral-purposetransistors Features General-purposetransistors SMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC848A	文件：456.11 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC848A	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
BC848A	文件：2.06563 Mbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC848A	文件：468.75 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC848A	文件：301.49 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandAFamplifierapplications. ♦Especiallysuitedforautomaticinsertionin thick-andthin-filmcircuits. ♦Thesetransistorsaresubdividedintothree groupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.The typ	GE GE Industrial Company	GE
BC848A	文件：857.31 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC848A	文件：121.72 Kbytes Page：9 Pages	SMDNPNTransistor GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V,MachineModel:>400V •Epitaxialplanachipconstruction •Idealformediumpowerapplicationandswitching •Ascomplementarytype,thePNPtransistor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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详细参数

型号：
J848
制造商：
Intel
功能描述：
CRD,NTWK,HMCRD,5100,ABG,SCRN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多J848供应商更新时间2024-5-21 16:31:00

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