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J649中文资料PDF规格书

J649
厂商型号

J649

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

78.83 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 8:30:00

J649规格书详情

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SJ649 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver.

FEATURES

• Low on-state resistance:

RDS(on)1= 48 mΩMAX. (VGS= –10 V, ID= –10 A)

RDS(on)2= 75 mΩMAX. (VGS= –4.0 V, ID= –10 A)

• Low input capacitance:

Ciss= 1900 pF TYP. (VDS= –10 V, VGS= 0 V)

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    J649

  • 制造商:

    General Electric Company

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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